单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）180mA（Ta）200mA（Ta）240mA（Ta）300mA（Tc）600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.8V，4.5V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V24.6 pF @ 25 V26 pF @ 10 V45 pF @ 25 V50 pF @ 10 V175 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）310mW（Ta）320mW（Ta）550mW（Ta）830mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TO-236ABUMT3F
封装/外壳
SC-70，SOT-323SC-85TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,721
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
585,985
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,486
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,746
现货
7,731,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN67D8LW-7
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
5,840
现货
144,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
49,800
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34402
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,815
现货
645,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32204
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。