单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®TrenchP™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V55 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）2A（Ta）2.1A（Ta）5A（Ta）25A（Ta），198A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V1.8V，8V2.5V，4.5V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 25A，10V12 毫欧 @ 70A，10V32.5 毫欧 @ 5A，4.5V150 毫欧 @ 950mA，4.5V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V185 毫欧 @ 1A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 1mA2V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.2 nC @ 4.2 V3.3 nC @ 4.5 V45 nC @ 4.5 V155 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V300 pF @ 25 V320 pF @ 16 V2970 pF @ 10 V8030 pF @ 40 V31400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）3.3W（Ta），187W（Tc）568W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFN（2x2）8-PQFN（5x6）DFN1411-3DFN2020MD-6SOT-23-3TO-268AA
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式3-UDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,974
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
8-PQFN
FDMS86350ET80
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
onsemi
10,361
现货
1 : ¥49.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.33432
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
25A（Ta），198A（Tc）
8V，10V
2.4 毫欧 @ 25A，10V
4.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
8030 pF @ 40 V
-
3.3W（Ta），187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-268
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Littelfuse Inc.
355
现货
1 : ¥163.38000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
140A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
6-DFN2020MD_View 2
PMPB29XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
14,115
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94823
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.8V，4.5V
32.5 毫欧 @ 5A，4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2970 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SBR 3-DFN
DMP2104LP-7
MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Diodes Incorporated
53,981
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94183
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±12V
320 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1411-3
3-UDFN
39,267
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76808
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
2.2 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。