单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V200 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）350mA（Ta）375mA（Ta）2.1A（Ta）2.9A（Ta）7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.8V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 2.1A，4.5V130 毫欧 @ 2.9A，10V225 毫欧 @ 3.5A，10V5 欧姆 @ 340mA，10V6 欧姆 @ 350mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 108µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 13µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V8.7 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V95 pF @ 25 V120 pF @ 25 V430 pF @ 100 V458 pF @ 10 V875 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）340mW（Ta），2.1W（Tc）1.5W（Ta）1.8W（Ta）34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223-4PG-TDSON-8-5SOT-223SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
80,965
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
409
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.41925
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
7A（Tc）
10V
225 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-236AB
NXV65UPR
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
48,915
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44100
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.1A（Ta）
1.8V，4.5V
70 毫欧 @ 2.1A，4.5V
1V @ 250µA
8.7 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 10 V
-
340mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223
BSP89,115
MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223
Nexperia USA Inc.
11,740
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.67267
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
375mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 340mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
120 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
23,384
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.95098
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
350mA（Ta）
2.8V，10V
6 欧姆 @ 350mA，10V
1.4V @ 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP613PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Infineon Technologies
9,312
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.40415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.9A（Ta）
10V
130 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 1mA
33 nC @ 10 V
±20V
875 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。