单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™-5TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）320mA（Ta）33A（Tc）40A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 25A，10V7.4 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 10A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 10µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V0.7 nC @ 4.5 V16.7 nC @ 5 V17 nC @ 10 V73.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V36 pF @ 25 V920 pF @ 25 V2275 pF @ 25 V5520 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）350mW（Ta），1.14W（Tc）34W（Tc）75W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56，Power-SO8PG-TSDSON-8SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
19,730
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.64628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
7.4 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
663,548
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
14,576
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M28-80EX
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,442
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.10549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
33A（Tc）
5V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
16.7 nC @ 5 V
±10V
2275 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,119
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.17170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。