单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）7A（Ta）24A（Tc）41A（Ta），100A（Tc）42A（Ta），433A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 50A，10V0.62 毫欧 @ 20A，10V0.9 毫欧 @ 30A，10V16.5 毫欧 @ 12A，10V19 毫欧 @ 7A，4.5V12 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.7V @ 100µA2V @ 10mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V126 nC @ 10 V128 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.1 pF @ 3 V1180 pF @ 15 V1220 pF @ 10 V5800 pF @ 12 V8000 pF @ 15 V9530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）610mW（Ta），8.3W（Tc）2.5W（Ta），96W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）4.1W（Ta），24W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8SSMTO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
249,018
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16087
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
13,998
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33909
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
12 欧姆 @ 10mA，4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
TO-236AB
PMV15UNEAR
MOSFET N-CH 20V 7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,352
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7A（Ta）
1.8V，4.5V
19 毫欧 @ 7A，4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1220 pF @ 10 V
-
610mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,244
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.65749
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4,284
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 10mA
128 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Infineon Technologies
48,886
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.09578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
41A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。