单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS®-P2OptiMOS™OptiMOS™-5TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）2.3A（Ta）6A（Ta）40A（Tc）90A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V1.8V，4.5V4.5V，10V7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.9 毫欧 @ 60A，10V4.1 毫欧 @ 90A，10V4.8 毫欧 @ 20A，10V24 毫欧 @ 6A，4.5V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA900mV @ 250µA2V @ 17µA2V @ 253µA2.1V @ 250µA3.4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 2.5 V18.6 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V115 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V529 pF @ 10 V1150 pF @ 15 V1560 pF @ 25 V7360 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）500mW（Ta）610mW（Ta），8.3W（Tc）48W（Tc）137W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TDSON-8-33PG-TO252-3-11PG-TSDSON-8TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
785,926
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
14,161
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.03443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 17µA
29 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
7,174
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.95796
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
-
4.1 毫欧 @ 90A，10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V，-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
64,061
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV19XNEAR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,166
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 6A，4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±8V
1150 pF @ 15 V
-
610mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-33
IAUC120N04S6N009ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.41960
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
7V，10V
0.9 毫欧 @ 60A，10V
3.4V @ 90µA
115 nC @ 10 V
±20V
7360 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。