单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）350mA（Ta）380mA（Ta）750mA（Ta）1.5A（Ta）2.2A（Tc）2.6A（Ta）2.8A（Ta）3.8A（Ta）4.2A（Ta）4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V54 毫欧 @ 4.3A，4.5V65 毫欧 @ 3.8A，10V73 毫欧 @ 2.8A，4.5V74 毫欧 @ 2.8A，4.5V90 毫欧 @ 1.2A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V110 毫欧 @ 2.5A，10V270 毫欧 @ 1.2A，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V2.8 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V6.9 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.7 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V60 pF @ 25 V125 pF @ 5 V130 pF @ 10 V135 pF @ 15 V291 pF @ 10 V500 pF @ 40 V563 pF @ 25 V570 pF @ 16 V744 pF @ 20 V808 pF @ 15 V1138 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta）400mW（Ta）420mW（Ta）480mW（Ta）490mW（Ta）500mW（Ta）660mW（Ta）760mW（Ta），2.5W（Tc）1.08W（Ta）1.3W（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236AB
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,749
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31827
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,107
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
442,654
现货
894,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40266
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
162,129
现货
2,232,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
253,128
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
606,930
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77194
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
69,005
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
onsemi
39,709
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
125 pF @ 5 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,265
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
270 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW（Ta），2.5W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
162,076
现货
810,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24483
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
PMV65UNER
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,072
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66535
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
73 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±8V
291 pF @ 10 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
13,473
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69909
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
135 pF @ 15 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2244TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
11,853
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
2.5V，4.5V
54 毫欧 @ 4.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.9 nC @ 4.5 V
±12V
570 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。