单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™FemtoFET™HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V150 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)2A(Tc)3A(Ta)4A(Ta)4A(Tc)5A(Ta)5.6A(Ta)5.7A(Ta)5.8A(Ta)8.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V2.8V,8V3V,10V4.5V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26.5 毫欧 @ 5.7A,10V28 毫欧 @ 5.8A,10V29 毫欧 @ 3.2A,10V29 毫欧 @ 5A,4.5V49毫欧 @ 4A,8V52 毫欧 @ 4A,10V103 毫欧 @ 1A,4.5V120 毫欧 @ 2.8A,4.5V240 毫欧 @ 2A,4.5V315 毫欧 @ 2.4A,10V1190 毫欧 @ 100mA,8V1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.35V @ 2.5µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA3.5V @ 700µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.281 nC @ 10 V2.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V11.7 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-8V±8V10V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10.5 pF @ 10 V250 pF @ 500 V270 pF @ 10 V330 pF @ 25 V386 pF @ 15 V464 pF @ 15 V476 pF @ 10 V498 pF @ 15 V630 pF @ 15 V650 pF @ 25 V679 pF @ 10 V880 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)610mW(Ta),8.3W(Tc)720mW(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.8W(Ta)3W(Tc)3.8W(Ta),52W(Tc)32W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C
供应商器件封装
3-PICOSTARMicro3™/SOT-23PG-TO252-2PowerPAK® 1212-8SOT-223-3SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236ABUFM
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-XFDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果

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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
37,745
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
2.8V,8V
1190 毫欧 @ 100mA,8V
1.35V @ 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
255,447
现货
5,874,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64179
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
52 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
753,797
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80150
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.7A(Ta)
2.5V,10V
26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
1.5V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
122,788
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02907
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Diodes Incorporated
130,889
现货
1,020,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.55819
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 3.2A,10V
2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,220
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Tc)
1.5V,4.5V
240 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,035
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.12556
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
8.9A(Tc)
7.5V,10V
315 毫欧 @ 2.4A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-236AB
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
13,822
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
2.5V,8V
49毫欧 @ 4A,8V
1.3V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
679 pF @ 10 V
-
610mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Infineon Technologies
17,257
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.39781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.4A,10V
3.5V @ 700µA
10 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6,846
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
1.5V,4.5V
103 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
270 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,116,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60066
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
3V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。