单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)17.6A(Tj)52A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.4 毫欧 @ 25A,10V12 毫欧 @ 15A,10V40 毫欧 @ 5A,10V240 毫欧 @ 1.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5 nC @ 5 V6 nC @ 10 V15 nC @ 10 V39 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
407 pF @ 25 V450 pF @ 20 V1039 pF @ 25 V2781 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
480mW(Ta),6.25W(Tc)31W65W(Tc)147W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56,Power-SO8TO-236AB
封装/外壳
SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
30,547
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68032
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
240 毫欧 @ 1.3A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M52-40EX
MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,658
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.99788
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17.6A(Tj)
5V,10V
40 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
4.5 nC @ 5 V
±10V
407 pF @ 25 V
-
31W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-40EX
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,371
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.03801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
52A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1039 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R4-40EX
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,074
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.20539
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
4.4 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
39 nC @ 10 V
±20V
2781 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。