单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.3A（Tc）3A（Ta）23A（Ta），107A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 40A，10V4.8 毫欧 @ 25A，10V85 毫欧 @ 1.5A，10V100 毫欧 @ 1.5A，4.5V150 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V12.3 nC @ 10 V35 nC @ 10 V73.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
205 pF @ 30 V443 pF @ 6 V606 pF @ 20 V2100 pF @ 25 V5520 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
490mW600mW（Ta）2W（Tc）3.3W（Ta），68W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3（TO-236）SOT-323X1-DFN1616-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUFDFN8-PowerWDFNSC-100，SOT-669SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMP2110UW-7
MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Diodes Incorporated
17,982
现货
267,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
900mV @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 6 V
-
490mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
X1-DFN1616-6
DMN6070SFCL-7
MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Diodes Incorporated
3,318
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20096
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
8-WDFN
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
onsemi
11,119
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.45939
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
3.3W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,119
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.17170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
SQ2308CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Vishay Siliconix
31,078
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86683
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.3A，10V
2.5V @ 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。