单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™SIPMOS®TrenchFET®π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V200 V240 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)110mA(Ta)130mA(Ta)140mA(Ta)200mA(Ta)225mA(Ta)230mA(Ta)260mA(Ta)265mA(Ta)350mA(Ta)360mA(Ta)400mA(Ta)430mA(Ta)2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V3.3V,10V3.5V,10V4.5V,10V5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 2.5A,4.5V213 毫欧 @ 1A,4V700毫欧 @ 200MA,10V1.8 欧姆 @ 360mA,10V3.5 欧姆 @ 160mA,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V4 欧姆 @ 430mA,10V6 欧姆 @ 350mA,10V9 欧姆 @ 200mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V11 欧姆 @ 140mA,10V12 欧姆 @ 260mA,10V14 欧姆 @ 100mA,10V14 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 170µA1.2V @ 11µA1.4V @ 108µA1.4V @ 26µA1.8V @ 100µA1.8V @ 56µA2V @ 130µA2V @ 1mA2V @ 370µA2.4V @ 26µA2.8V @ 1mA3.5V @ 1mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 10 V1.4 nC @ 5 V3.1 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V3.45 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 5 V32 pF @ 25 V39 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V73 pF @ 25 V77 pF @ 25 V90 pF @ 25 V95 pF @ 25 V104 pF @ 25 V109 pF @ 25 V165 pF @ 25 V200 pF @ 25 V262 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)300mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)1.5W(Ta)1.8W(Ta)2W(Ta)83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SC59-3PG-SOT-23-3PG-SOT223-4PG-SOT23PowerPAK® SO-8SOT-223SOT-223-3SOT-23-3SOT-89-3USM
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
434,055
现货
9,930,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,881
现货
480,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.50478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35mA(Ta)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP4525GTA
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
11,795
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.36607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
265mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,421
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
12A(Tc)
6V,10V
213 毫欧 @ 1A,4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
71,531
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51125
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
400mA(Ta)
3.3V,10V
700毫欧 @ 200MA,10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
BSS127IXTSA1
BSS138IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
81,809
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51495
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1 nC @ 10 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
4,490
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS205NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Infineon Technologies
32,464
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78962
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.5A(Ta)
2.5V,4.5V
50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.2V @ 11µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
419 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
33,442
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
0V,10V
3.5 欧姆 @ 160mA,10V
2.4V @ 26µA
1.4 nC @ 5 V
±20V
39 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSR92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Infineon Technologies
8,876
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30257
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
140mA(Ta)
2.8V,10V
11 欧姆 @ 140mA,10V
2V @ 130µA
4.8 nC @ 10 V
±20V
109 pF @ 25 V
-
500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Infineon Technologies
3,476
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41507
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
360mA(Ta)
4.5V,10V
1.8 欧姆 @ 360mA,10V
1V @ 170µA
7 nC @ 10 V
±20V
165 pF @ 25 V
-
500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
23,384
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.95098
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
350mA(Ta)
2.8V,10V
6 欧姆 @ 350mA,10V
1.4V @ 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP317PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Infineon Technologies
6,676
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.91210
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
430mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 430mA,10V
2V @ 370µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
262 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
AP7387Q-30Y-13
ZVP4424ZTA
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3
Diodes Incorporated
4,734
现货
38,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.18483
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
3.5V,10V
9 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
SOT223
BSP225,115
MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Nexperia USA Inc.
7,834
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.16386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
225mA(Ta)
10V
15 欧姆 @ 200mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
90 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Infineon Technologies
946
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.03587
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
260mA(Ta)
2.8V,10V
12 欧姆 @ 260mA,10V
2V @ 130µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。