单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
185mA(Ta)190mA(Ta)220mA(Ta)230mA(Ta)340mA(Ta)390mA(Ta)750mA(Ta)820mA(Ta)1.3A(Ta)1.4A(Tc)1.5A(Ta)2.5A(Ta),14A(Tc)3.7A(Ta)4.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.34mOhm @ 50A,10V24 毫欧 @ 9.1A,10V26 毫欧 @ 6.2A,10V29.8 毫欧 @ 3A,4.5V60 毫欧 @ 4.5A,10V65 毫欧 @ 3.7A,4.5V125 毫欧 @ 1.3A,4.5V140 毫欧 @ 1.5A,4.5V140 毫欧 @ 7A,10V150 毫欧 @ 1.4A,4.5V150 毫欧 @ 2A,4.5V460 毫欧 @ 200mA,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.2V @ 1.5µA1.2V @ 250µA1.2V @ 3.7µA1.4V @ 26µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 15µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.62 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 5 V1.4 nC @ 10 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 15 V5.4 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 5 V6.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V12.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5 pF @ 10 V20 pF @ 10 V23 pF @ 25 V32 pF @ 30 V41 pF @ 25 V56 pF @ 15 V59.76 pF @ 16 V64.3 pF @ 25 V143 pF @ 10 V272 pF @ 10 V320 pF @ 16 V416 pF @ 10 V633 pF @ 10 V657 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)265mW(Ta)310mW(Ta)320mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)450mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)960mW(Ta),210W(Tc)1W(Ta)1.3W(Ta)1.6W(Ta)2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-SOIC8-SOP Advance(5x5.75)Micro3™/SOT-23PG-SOT23PG-SOT323PG-TSOP6-6SC-70-3SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-23FSOT-323SuperSOT™-6TO-236ABTO-252
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323SOT-23-3 扁平引线SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
286,402
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
220mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
246,550
现货
2,115,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
185,777
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
118,373
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
767,389
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
768,118
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04982
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
185mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMP2240UW-7
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323
Diodes Incorporated
45,793
现货
249,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05767
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
-
±12V
320 pF @ 16 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
151,061
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03881
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Vishay Siliconix
22,730
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.24502
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.4A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 9.1A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
33,790
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 4.5A,10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-236AB
NX7002AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
24,852
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.16735
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,776
现货
252,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340mA(Ta)
1.8V,4.5V
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
75,862
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48134
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
390mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
1.2V @ 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
Pkg 5549
SI1317DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
22,623
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.4A(Tc)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 1.4A,4.5V
800mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
272 pF @ 10 V
-
500mW(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMN3730U-7
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Diodes Incorporated
93,988
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
750mA(Ta)
1.8V,4.5V
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
450mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC645N
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
onsemi
6,000
现货
3,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.19776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.5A(Ta)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 6.2A,10V
2V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
1460 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
2,279
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.31828
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.5A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
2298 pF @ 30 V
-
2W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
7,352
现货
1 : ¥25.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.01482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.34mOhm @ 50A,10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW(Ta),210W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
36,104
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77479
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
1.8V,4.5V
125 毫欧 @ 1.3A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。