单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™NexFET™
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
78A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）194A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 15A，10V2.5 毫欧 @ 100A，10V2.6 毫欧 @ 100A，10V3.4 毫欧 @ 10A，10V3.5 毫欧 @ 40A，10V4.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA2.35V @ 100µA2.4V @ 250µA3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41.5 nC @ 10 V54 nC @ 4.5 V64 nC @ 10 V117 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 12 V3907 pF @ 12 V4730 pF @ 25 V5110 pF @ 15 V5940 pF @ 20 V6810 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
103W（Tc）114W（Tc）140W（Tc）143W（Tc）188W（Ta）211W（Tc）
供应商器件封装
TO-220-3TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRLB4132PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Infineon Technologies
10,357
现货
1 : ¥5.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
78A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 40A，10V
2.35V @ 100µA
54 nC @ 4.5 V
±20V
5110 pF @ 15 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7440PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Infineon Technologies
789
现货
1 : ¥12.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 100µA
135 nC @ 10 V
±20V
4730 pF @ 25 V
-
143W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
CSD18511KCS
MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Texas Instruments
800
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
194A（Ta）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5940 pF @ 20 V
-
188W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
PSMN4R3-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
4,601
现货
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 15A，10V
2.15V @ 1mA
41.5 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 12 V
-
103W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PSMN3R4-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
7,994
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 10A，10V
2.15V @ 1mA
64 nC @ 10 V
±20V
3907 pF @ 12 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PSMN2R0-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
9,190
现货
1 : ¥29.31000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 15A，10V
2.15V @ 1mA
117 nC @ 10 V
±20V
6810 pF @ 12 V
-
211W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。