单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ CEOptiMOS™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V40 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.5A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）50A（Tc）70A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V2.6 毫欧 @ 30A，10V4.1 毫欧 @ 70A，10V6 毫欧 @ 30A，10V190 毫欧 @ 6.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3.5V @ 510µA4V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V26 nC @ 10 V47.2 nC @ 10 V56 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1137 pF @ 100 V1700 pF @ 15 V2400 pF @ 15 V4500 pF @ 20 V9530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），48W（Tc）32W（Tc）35W（Tc）56W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PG-TO220-FPPG-TO252-3PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
5,913
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.55723
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,269
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.65749
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,285
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO-220-FP
IPA50R190CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Infineon Technologies
1,707
现货
1 : ¥16.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
18.5A（Tc）
13V
190 毫欧 @ 6.2A，13V
3.5V @ 510µA
47.2 nC @ 10 V
±20V
1137 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
PG-TO-220-FP
IPA041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
Infineon Technologies
123
现货
1 : ¥11.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
70A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 45µA
56 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 20 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。