单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
590mA（Ta）13A（Ta）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 13A，10V16.5 毫欧 @ 12A，10V670 毫欧 @ 590mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30.3 pF @ 15 V1180 pF @ 15 V1900 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），1.67W（Tc）2W（Ta）4.1W（Ta），24W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-HSMT（3.2x3）SOT-883
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
248,988
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SC-101 SOT-883
PMZ550UNEYL
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
48,211
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.49430
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
590mA（Ta）
1.5V，4.5V
670 毫欧 @ 590mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
8-HSMT
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Rohm Semiconductor
2,850
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 13A，10V
2.5V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。