单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）4.2A（Ta）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 15A，10V43 毫欧 @ 4.2A，10V80 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
587 pF @ 20 V590 pF @ 30 V1537 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
652mW（Ta），7.5W（Tc）720mW（Ta）55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK33SOT-23-3
封装/外壳
SC-74，SOT-457SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40ENAX
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
33,089
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16300
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.2A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 4.2A，10V
2.7V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 30 V
-
652mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
SOT-23-3
DMP4065SQ-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
Diodes Incorporated
9,307
现货
249,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
BUK9M9R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
9,844
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.07868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 15A，10V
2.15V @ 1mA
24 nC @ 10 V
+16V，-10V
1537 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。