单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
EPCSTMicroelectronics
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V200 V350 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）6.3A（Ta）8.5A（Ta）14A（Ta）16A（Ta）40A（Tc）48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 16A，5V8 毫欧 @ 20A，5V22 毫欧 @ 14A，5V24 欧姆 @ 40A，18V42 毫欧 @ 7A，5V180 毫欧 @ 6A，5V550 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.5mA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA2.5V @ 80µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.12 nC @ 5 V2.9 nC @ 5 V4 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V11 nC @ 5 V157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V288 pF @ 100 V600 pF @ 100 V628 pF @ 280 V685 pF @ 50 V1140 pF @ 100 V3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
935W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（8x8）HV模具
封装/外壳
8-PowerVDFN模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
显示
/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
28,468
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.57657
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
550 毫欧 @ 100mA，5V
2.5V @ 80µA
0.12 nC @ 5 V
+6V，-4V
14 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
17,316
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.82258
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
14A（Ta）
5V
22 毫欧 @ 14A，5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
89,103
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.88027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
8.5A（Ta）
5V
42 毫欧 @ 7A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
288 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,221
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97518
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
13,955
现货
1 : ¥33.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥22.37172
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
350 V
6.3A（Ta）
5V
180 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2034C
GANFET N-CH 200V 48A DIE
EPC
22,640
现货
1 : ¥75.94000
剪切带（CT）
500 : ¥47.88582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
48A（Ta）
5V
8 毫欧 @ 20A，5V
2.5V @ 7mA
11 nC @ 5 V
+6V，-4V
1140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
8 Power VDFN
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
STMicroelectronics
2,534
现货
1 : ¥288.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥185.01821
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
40A（Tc）
18V
24 欧姆 @ 40A，18V
5V @ 1mA
157 nC @ 18 V
+22V，-10V
3380 pF @ 400 V
-
935W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（8x8）HV
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。