单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 7OptiMOS™-5PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen VU-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V120 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA(Ta)8.7A(Ta),30A(Tc)16A(Ta),128A(Tc)19A(Ta),100A(Tc)22A(Ta),150A(Tc)30A(Ta),100A(Tc)31A(Ta),126A(Tc)33A(Ta)40A(Tc)41A(Ta),230A(Tc)70A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4V4.5V,10V6V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.44 毫欧 @ 88A,10V0.6 毫欧 @ 60A,10V0.75 毫欧 @ 150A,10V1.15 毫欧 @ 30A,10V1.45 毫欧 @ 50A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V2.26 毫欧 @ 50A,10V2.5 毫欧 @ 50A,10V2.8 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.1 毫欧 @ 50A,10V3.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA2V @ 30µA2.2V @ 250µA2.3V @ 115µA2.3V @ 92µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 120µA3V @ 130µA3V @ 32µA3.3V @ 280µA3.8V @ 115µA3.8V @ 275µA3.8V @ 67µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.3 nC @ 5 V12 nC @ 10 V22 nC @ 10 V39 nC @ 10 V46 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V54 nC @ 10 V55 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
33 pF @ 5 V623 pF @ 40 V2200 pF @ 100 V2421 pF @ 25 V2800 pF @ 25 V3900 pF @ 40 V4065 pF @ 50 V4980 pF @ 50 V5190 pF @ 50 V5200 pF @ 50 V5300 pF @ 50 V5300 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)960mW(Ta),170W(Tc)2.5W(Ta),104W(Tc)2.5W(Ta),125W(Tc)2.5W(Ta),139W(Tc)2.5W(Ta),156W(Tc)2.5W(Ta),67W(Tc)3.13W(Ta),96W(Tc)3.3W(Ta),187W(Tc)3.5W(Ta),42W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DSOP Advance8-PQFN(5x6)8-SOP Advance(5x5)PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8PG-TDSON-8-17PG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-53PG-TDSON-8-7PG-TO263-3PG-TO263-7-3PG-TSDSON-8PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果

显示
/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
29,635
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82779
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 30µA
52 nC @ 10 V
±16V
2800 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
7,491
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.43755
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.7mOhm @ 45A,10V
2.5V @ 1mA
67 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,992
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.25018
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
18,685
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.97509
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
6V,10V
3 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
16,925
现货
1 : ¥19.79000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.58885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
33A(Ta)
10V
29 毫欧 @ 16.5A,10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-34
IAUC100N10S5N040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
8,151
现货
1 : ¥21.51000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.33363
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 90µA
78 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
1,366
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.77947
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tj)
7V,10V
0.6 毫欧 @ 60A,10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
10117 pF @ 25 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
44,738
现货
1 : ¥23.32000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.90467
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 95µA
72 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-17
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Infineon Technologies
8,385
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.10787
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
1.45 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 120µA
89 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
ISC0802NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Infineon Technologies
5,079
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.35572
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
22A(Ta),150A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 92µA
73 nC @ 10 V
±20V
5190 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC035N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,525
现货
1 : ¥27.09000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.65643
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 115µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
5,909
现货
1 : ¥27.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.68415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
175A
7V,10V
0.44 毫欧 @ 88A,10V
3V @ 130µA
169 nC @ 10 V
±20V
11310 pF @ 20 V
-
219W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC034N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
26,747
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.05993
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 115µA
46 nC @ 4.5 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
2,987
现货
1 : ¥45.56000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.18573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
10,982
现货
1 : ¥49.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.22314
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300A(Tc)
6V,10V
0.75 毫欧 @ 150A,10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,045
现货
1 : ¥50.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.67135
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
120A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
211 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 60 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
36,455
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69165
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
270mA(Ta)
2.5V,4V
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
12,848
现货
1 : ¥10.59000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.18028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
7V,10V
2.26 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 32µA
39 nC @ 10 V
±20V
2421 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
5,379
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.49934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
70A(Tc)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 35A,10V
2.5V @ 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),67W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C302NT1G
MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
onsemi
4,304
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.36156
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
41A(Ta),230A(Tc)
4.5V,10V
1.15 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
5780 pF @ 15 V
-
3.13W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK SO-8 Single
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
11,755
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.99547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Ta),126A(Tc)
7.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
4980 pF @ 50 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Automotive_MOSFET
IAUC100N08S5N031ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Infineon Technologies
4,033
现货
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.82630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
6V,10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5525 pF @ 40 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PowerPAK 8 x 8
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
3,802
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.64857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
135A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
8-Power TDFN
BSC025N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Infineon Technologies
7,600
现货
1 : ¥29.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥13.60005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 115µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
7500 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86150ET100
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
onsemi
7,923
现货
1 : ¥38.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥28.22224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
16A(Ta),128A(Tc)
6V,10V
4.85 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4065 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta),187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。