单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.
系列
-PolarP™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V400 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Tj）40A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 25A，10V230 毫欧 @ 500mA，10V12 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
168 nC @ 10 V205 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 25 V8300 pF @ 25 V11500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）230W（Tc）890W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
D2PAKSOT-227BTO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-243AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK SOT404
PSMN004-60B,118
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
7,387
现货
1 : ¥22.08000
剪切带（CT）
800 : ¥13.33789
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
75A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
168 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IXYK1x0xNxxxx
IXTN40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Littelfuse Inc.
75
现货
1 : ¥309.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
40A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
C04-029 MB
TN2540N8-G
MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.42612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
260mA（Tj）
4.5V，10V
12 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
125 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。