单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Panjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）2.6A（Ta）8A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V15 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 8A，10V160 毫欧 @ 2.1A，10V370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.6 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V55 nC @ 10 V56.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 15 V635 pF @ 40 V637 pF @ 20 V2444 pF @ 10 V3000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.7W（Ta）2W（Ta）2.5W（Ta）15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICDFN2020MD-6SOT-223-3SOT-23
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZXMP7A17GTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
10,820
现货
250,000
工厂
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.63641
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
70 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 2.1A，10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
20,379
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.76493
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
9,828
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46180
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
1.8V，4.5V
370 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1.3V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
125 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK9D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
11,349
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.1V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±15V
637 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8 SO
DMP2022LSS-13
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
33,165
现货
465,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.16690
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
1.1V @ 250µA
56.9 nC @ 10 V
±12V
2444 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。