单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorMicrochip TechnologyonsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装管件袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）175mA（Tj）200mA（Ta）200mA（Tj）270mA（Ta）280mA（Ta）400mA（Ta）500mA（Ta）5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 3.4A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V100 pF @ 18 V180 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）625mW（Ta）700mW（Ta）740mW（Ta）830mW（Ta）1W（Tc）43W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-220ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
78,421
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
130,918
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.43797
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D26Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
17,752
现货
54,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.85776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3 Formed Leads
BS270-D74Z
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
onsemi
8,555
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.89672
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
2,992
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tj）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,052
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
1,623
现货
1 : ¥6.40000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
175mA（Tj）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
VN10LP
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,992
现货
1 : ¥6.65000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。