单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®STripFET™ F6TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）2.6A（Ta）3.16A（Ta）8.2A（Ta）8.8A（Ta）9.1A（Ta）9.9A（Ta），14A（Tc）10A（Ta）10.5A（Ta）13A（Ta），49A（Tc）16A（Ta），100A（Tc）16.1A（Tc）20A（Ta）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V5.7 毫欧 @ 50A，10V9.3 毫欧 @ 40A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V14 毫欧 @ 10A，10V14.2 毫欧 @ 10A，10V15 毫欧 @ 10.2A，10V15 毫欧 @ 10.5A，10V15 毫欧 @ 3A，10V16 毫欧 @ 14.4A，10V20 毫欧 @ 8.8A，10V27 毫欧 @ 8.2A，10V40 毫欧 @ 2.6A，4.5V47 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）1.5V @ 250µA2V @ 14µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 73µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 5 V17 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V27 nC @ 5 V34 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V56 nC @ 10 V70 nC @ 10 V95 nC @ 10 V100 nC @ 10 V110 nC @ 10 V140 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 5 V305 pF @ 15 V1138 pF @ 6 V1845 pF @ 15 V1872 pF @ 20 V1900 pF @ 20 V2900 pF @ 15 V3007 pF @ 20 V3525 pF @ 25 V3900 pF @ 40 V4000 pF @ 20 V4234 pF @ 20 V4710 pF @ 30 V7540 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）500mW（Ta）750mW（Ta）1.45W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），114W（Tc）2.5W（Ta），35W（Tc）2.5W（Ta），5W（Tc）2.5W（Ta），6.3W（Tc）2.7W（Ta）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICPG-TDSON-8-5PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
52,706
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
18,546
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.13159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP4015SSS-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
10,541
现货
140,000
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.45923
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.1A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.45W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
17,594
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.59952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16.1A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），6.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Vishay Siliconix
46,261
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.63259
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.9A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
14.2 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
51,681
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.52314
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
onsemi
20,360
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.2A（Ta）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP4015SSSQ-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
25,667
现货
75,000
工厂
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.45881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.1A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.45W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7240TRPBF
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
Infineon Technologies
5,810
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.60603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10.5A，10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
9250 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PG-TDSON-8-5
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,580
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.83519
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
16A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
5.7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 73µA
56 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
19,691
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.79035
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,098
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT 23-3
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
onsemi
33,114
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78250
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1 欧姆 @ 300mA，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2306BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,372
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.16A（Ta）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS5670
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
onsemi
19,812
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.29185
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
6V，10V
14 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
STS10P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
STMicroelectronics
2,500
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.48606
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 3A，10V
1V @ 250µA（最小）
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
2.7W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。