单 FET,MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
25 V30 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)150mA(Ta)220mA(Ta)1.7A(Ta)2A(Ta)4.1A(Ta)4.9A(Tc)6.7A(Ta)6.9A(Ta)7.5A(Ta)7.6A(Ta)8.9A(Ta)9.2A(Ta)9.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 11.6A,10V10 毫欧 @ 12A,10V13.4 毫欧 @ 10A,10V15 毫欧 @ 20A,10V15 毫欧 @ 5.6A,10V16 毫欧 @ 10A,10V16.5 毫欧 @ 10A,10V16.5 毫欧 @ 12A,10V18 毫欧 @ 10A,10V23 毫欧 @ 7.5A,10V26 毫欧 @ 4.1A,10V29 毫欧 @ 7.6A,10V47 毫欧 @ 4.9A,10V66 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.06V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4.9V @ 100µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.9 nC @ 30 V25 nC @ 10 V30 nC @ 10 V33.3 nC @ 10 V34 nC @ 10 V37 nC @ 10 V38 nC @ 10 V41 nC @ 10 V45 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5 pF @ 10 V40 pF @ 25 V50 pF @ 25 V298 pF @ 15 V400 pF @ 15 V864 pF @ 30 V1103 pF @ 30 V1235 pF @ 15 V1290 pF @ 25 V1510 pF @ 25 V1620 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1871 pF @ 50 V1949 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)250mW(Ta)350mW(Ta)500mW(Ta)1.2W(Ta)1.5W(Ta)1.56W(Ta)2.5W(Ta)2.5W(Tc)
供应商器件封装
8-SO8-SOICSOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果

显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
688,027
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37017
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
269,650
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
150mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 120mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
286,299
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45078
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
220mA(Ta)
2.7V,4.5V
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,080
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13023
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
43,374
现货
730,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.63763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS2582
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
5,649
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.32914
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4.1A(Ta)
6V,10V
66 毫欧 @ 4.1A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
onsemi
10,696
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.14858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.5A(Ta)
6V,10V
23 毫欧 @ 7.5A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2015 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,618
现货
2,500
工厂
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.28551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7.6A(Ta)
6V,10V
29 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7493TRPBF
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Infineon Technologies
8,703
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.52547
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
9.3A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 25 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
onsemi
14,467
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.06532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS2572
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
onsemi
11,870
现货
40,000
工厂
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.06532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4.9A(Tc)
6V,10V
47 毫欧 @ 4.9A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
2050 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
24,070
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Ta)
6V,10V
100 毫欧 @ 1.7A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
19,919
现货
7,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.49661
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.6A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 11.6A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Infineon Technologies
16,730
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.71903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
10A(Ta)
10V
13.4 毫欧 @ 10A,10V
4.9V @ 100µA
41 nC @ 10 V
±20V
1620 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4896DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Vishay Siliconix
5,360
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
6.7A(Ta)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA(最小)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT6015LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
9,716
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.16682
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
18.9 nC @ 30 V
±16V
1103 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4896DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Vishay Siliconix
5,000
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
6.7A(Ta)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA(最小)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT10H014LSS-13
MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Diodes Incorporated
5,745
现货
107,500
工厂
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.92053
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.9A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
33.3 nC @ 10 V
±20V
1871 pF @ 50 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Infineon Technologies
9,784
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.28553
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.9A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 4.1A,10V
5.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT8012LSS-13
MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Diodes Incorporated
919
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88275
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
9.7A(Ta)
4.5V,10V
16.5 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1949 pF @ 40 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 20

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。