单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Tc)180mA(Ta)360mA(Ta)1.6A(Tc)2.6A(Ta)3A(Ta)21A(Ta),98A(Tc)24A(Ta),76A(Tc)50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧 @ 24A,10V3.2 毫欧 @ 50A,10V15 毫欧 @ 17A,10V70 毫欧 @ 2.5A,10V120 毫欧 @ 2.8A,4.5V345 毫欧 @ 1.25A,10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V5 欧姆 @ 115mA,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V25 nC @ 10 V101 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V210 pF @ 30 V225 pF @ 15 V476 pF @ 10 V1800 pF @ 20 V4950 pF @ 25 V7005 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)350mW(Ta),1.14W(Tc)370mW(Ta)750mW(Ta)1W(Ta),1.7W(Tc)1.5W(Ta)2.5W(Ta),52W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.2W(Ta),125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)PG-TDSON-8-6SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
840,181
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
564,775
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
116,344
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,720
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
345 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Infineon Technologies
12,797
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.59603
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),98A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
29,475
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.48430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 17A,10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
2N7002AQ-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
239,379
现货
3,480,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39828
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
180mA(Ta)
5V
5 欧姆 @ 115mA,10V
2V @ 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2304BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
7,601
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00830
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-PQFN TOP
FDMS86300DC
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥24.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.94772
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
24A(Ta),76A(Tc)
8V,10V
3.1 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7005 pF @ 40 V
-
3.2W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。