单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A（Tc）169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 80A，10V11.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.77 nC @ 10 V90 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
957 pF @ 30 V5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
34.7W（Tc）500W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOFMLPAK33
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerDFN
FDBL0630N150
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
onsemi
4,785
现货
1 : ¥48.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.38054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
169A（Tc）
10V
6.3 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5805 pF @ 75 V
-
500W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
32,921
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56569
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。