单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）6.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 6.1A，10V53 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.8 nC @ 5 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V21V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
530 pF @ 10 V1570 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6TSMT6（SC-95）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
PMPB27EP,115
MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
15,046
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12441
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.1A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 6.1A，10V
2.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TSMT6_TSMT6 Pkg
RVQ040N05TR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
Rohm Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.33955
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
4A（Ta）
4V，10V
53 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 1mA
8.8 nC @ 5 V
21V
530 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。