单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V150 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）280mA（Ta）6.6A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
39 毫欧 @ 21A，10V520 毫欧 @ 4A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1423 pF @ 25 V1750 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）370mW（Ta）60W（Tc）144W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-220-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 全封装，隔离接片TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
375,799
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
213,520
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49738
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRFB4615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Infineon Technologies
4,819
现货
1 : ¥15.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
35A（Tc）
10V
39 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB Full Pack
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Vishay Siliconix
701
现货
1 : ¥17.40000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
6.6A（Tc）
10V
520 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1423 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。