单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）散装管件袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V45 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90mA（Ta）140mA（Ta）200mA（Ta）200mA（Tc）220mA（Ta）230mA（Ta）250mA（Tj）270mA（Ta）280mA（Ta）320mA（Ta）320mA（Tj）500mA（Ta）500mA（Tj）640mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
117 毫欧 @ 11A，10V900 毫欧 @ 3.5A，10V1.5 欧姆 @ 750mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 750mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 500mA，10V12 欧姆 @ 500mA，10V14 欧姆 @ 200mA，10V20 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.4V @ 1mA3V @ 1mA3.5V @ 10mA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V35 pF @ 18 V40 pF @ 10 V50 pF @ 18 V50 pF @ 25 V60 pF @ 10 V60 pF @ 25 V75 pF @ 25 V100 pF @ 18 V150 pF @ 25 V450 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）350mW（Ta）400mW（Ta）625mW（Ta）700mW（Ta）740mW（Tc）830mW（Ta）1W（Tc）140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
E-Line（TO-92 兼容）SOT-23SOT-23-3TO-220ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
E-Line-3TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
显示
/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
45,131
现货
10,000
工厂
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
3,136
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3 Formed Leads
2N7000TA
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
69,040
现货
14,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.77862
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
44,200
现货
20,000
工厂
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
SOT-23-3
ZVP3306FTA
MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
Diodes Incorporated
27,478
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90mA（Ta）
10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Microchip Technology
2,262
现货
1 : ¥5.25000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Tj）
5V，10V
12 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP3310A
MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Diodes Incorporated
7,115
现货
64,000
工厂
1 : ¥5.58000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
140mA（Ta）
10V
20 欧姆 @ 150mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN3306A
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
5,881
现货
40,000
工厂
1 : ¥6.16000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
BS250P
MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
Diodes Incorporated
6,009
现货
16,000
工厂
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
230mA（Ta）
10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2206N3-G
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Microchip Technology
852
现货
1 : ¥21.10000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
640mA（Tj）
5V，10V
900 毫欧 @ 3.5A，10V
3.5V @ 10mA
-
±20V
450 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZVNL110ASTZ
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
Diodes Incorporated
2,000
现货
20,000
工厂
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.34805
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
320mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
Diodes Incorporated
3,852
现货
20,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.88283
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
212,232
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP0104N3-G
MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥8.37000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
250mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2,000 : ¥7.47097
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Tj）
5V，10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0610N3-G-P003
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2,000 : ¥8.62034
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
500mA（Tj）
3V，10V
1.5 欧姆 @ 750mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。