单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）4.6A（Tc）7.82A（Ta），20A（Tc）9A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 50A，10V26.5 毫欧 @ 10A，10V39.5 毫欧 @ 5A，10V173 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V34 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V327 pF @ 25 V619 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V3770 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）3W（Ta），20W（Tc）8W（Tc）13.6W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PG-TDSON-8-34PowerPAK®SC-70W-6SOT-223SST3
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
55,907
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
-
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SC-701W-6L Single
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,428
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26831
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Tc）
4.5V，10V
39.5 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK®SC-70W-6
6-PowerVDFN
SOT223
BUK98180-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Nexperia USA Inc.
91,837
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.41110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
173 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
619 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
PG-TDSON-8-34
IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
8,080
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.66025
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
7V，10V
1.9 毫欧 @ 50A，10V
3.4V @ 50µA
65 nC @ 10 V
±20V
3770 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
8-WDFN
NVTFS5C680NLTAG
MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
onsemi
0
现货
24,000
工厂
查看交期
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.20095
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.82A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
327 pF @ 25 V
-
3W（Ta），20W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。