单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-CoolMOS™ P7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 5A，10V360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 140µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.5 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
555 pF @ 400 V675 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
41W（Tc）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TO220-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN045-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,315
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.17680
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
24A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
12.5 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 40 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PG-TO-220
IPP60R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Infineon Technologies
500
现货
1 : ¥12.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
9A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 2.7A，10V
4V @ 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。