单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyonsemiWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™C3M™CoolSiC™G2R™G3R™Z-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
技术
SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V900 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A4.9A(Tc)5A(Tc)7A(Tc)7.2A(Tc)21A(Tc)22A(Tc)36A(Tc)39A(Tc)49A(Tc)59A(Tc)63A(Tc)68A(Tc)72A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V15V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 55.8A,15V22.3 毫欧 @ 75A,15V28,8 毫欧 @ 50A,15V34 毫欧 @ 50A,20V40 毫欧 @ 60A,20V43毫欧 @ 40A,15V45 毫欧 @ 30A,20V59 毫欧 @ 50A,20V60 毫欧 @ 17.6A,15V78 毫欧 @ 20A,15V79 毫欧 @ 13.2A,15V157 毫欧 @ 6.76A,15V208 毫欧 @ 12A,15V455 毫欧 @ 3.6A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 10mA2.7V @ 5mA3.25V @ 100µA(典型值)3.25V @ 2.5mA(典型值)3.5V @ 5mA3,6V @ 17,7mA3.6V @ 1.86mA3.6V @ 11.5mA3.6V @ 15.5mA3.6V @ 1mA3.6V @ 23mA3.6V @ 3.64mA3.6V @ 4.84mA4V @ 18mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 20 V13 nC @ 15 V13 nC @ 20 V15.5 nC @ 20 V28 nC @ 15 V30.4 nC @ 15 V46 nC @ 15 V51 nC @ 15 V59 nC @ 15 V114 nC @ 15 V118 nC @ 15 V160 nC @ 15 V161 nC @ 20 V162 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±15V+18V,-8V+19V,-8V+23V,-10V+25V,-10V+25V,-15V+25V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
111 pF @ 1000 V124 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V345 pF @ 1000 V640 pF @ 400 V660 pF @ 600 V1170 pF @ 400 V1272 pF @ 1000 V1621 pF @ 400 V2788 pF @ 1000 V3300 pF @ 1000 V3357 pF @ 1000 V3672 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
40.8W(Tc)44W(Tc)68W(Tc)69W69W(Tc)98W(Tc)125W(Tc)131W(Tc)164W(Tc)175W(Tc)278W(Tc)283W(Tc)370W(Tc)416W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D3PAKPG-TO263-7-12TO-247-3TO-247-4TO-247-4LTO-247ABTO-263-7TOLL
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,271
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V,-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,210
现货
1 : ¥93.34000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4.9A(Tc)
20V
1.1 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V,-10V
191 pF @ 1000 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
416
现货
1 : ¥100.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0045065L
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
2,381
现货
1 : ¥113.54000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.90751
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 3.64mA
46 nC @ 15 V
+19V,-8V
1170 pF @ 400 V
-
131W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
C2D10120D
C3M0065090D
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,455
现货
1 : ¥158.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
36A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
30.4 nC @ 15 V
+18V,-8V
660 pF @ 600 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0032120K
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
276
现货
1 : ¥297.18000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
118 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
onsemi
199
现货
3,150
工厂
1 : ¥314.59000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
81A(Tc)
20V
40 毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
200 nC @ 20 V
+25V,-15V
4230 pF @ 800 V
-
535W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
162 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0021120D
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,120
现货
1 : ¥336.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
160 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
677
现货
1 : ¥411.71000
剪切带(CT)
1,000 : ¥285.19691
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
187A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0015065K
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
848
现货
1 : ¥417.95000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
120A(Tc)
15V
21 毫欧 @ 55.8A,15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V,-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,339
现货
1 : ¥597.57000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
115A(Tc)
15V
22.3 毫欧 @ 75A,15V
3.6V @ 23mA
207 nC @ 15 V
+15V,-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M0025120D
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
162
现货
1 : ¥807.32000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
2.4V @ 10mA
161 nC @ 20 V
+25V,-10V
2788 pF @ 1000 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0350120J
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
528
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.2A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
13 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
40.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
577
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
22A(Tc)
15V
157 毫欧 @ 6.76A,15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V,-8V
640 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
425
现货
1 : ¥90.72000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
22A(Tc)
15V
157 毫欧 @ 6.76A,15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V,-8V
640 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0045065L
C3M0045065L-TR
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
1,792
现货
1 : ¥140.38000
剪切带(CT)
2,000 : ¥82.71082
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
49A(Tc)
15V
60 毫欧 @ 17.6A,15V
3.6V @ 4.84mA
59 nC @ 15 V
+19V,-8V
1621 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
C2D10120D
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
225
现货
1 : ¥208.93000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
114 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
166
现货
1 : ¥46.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
7A(Tc)
20V
940 毫欧 @ 2.5A,20V
3.25V @ 100µA(典型值)
11 nC @ 20 V
+23V,-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2M0045170P
C2M0045170P
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
439
现货
1 : ¥925.38000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
72A(Tc)
20V
59 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 18mA
188 nC @ 20 V
+25V,-10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247AB
SICW1000N170A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Micro Commercial Co
306
现货
1 : ¥43.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
3A
15V,20V
1.32欧姆 @ 1.5A,20V
4.5V @ 1mA
15.5 nC @ 20 V
+25V,-5V
124 pF @ 1000 V
-
69W
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AB
TO-247-3
TO-247-4
MSC035SMA170B4
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Microchip Technology
75
现货
1 : ¥343.16000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
68A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
D3PAK
MSC035SMA170S
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Microchip Technology
25
现货
1 : ¥340.69000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
59A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 23

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。