单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）9.5A（Ta），12A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V7.8 毫欧 @ 25A，10V21 毫欧 @ 9.5A，10V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA2.3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V63.3 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V650 pF @ 15 V5347 pF @ 25 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）3.1W（Ta），11W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）LFPAK56，Power-SO8PowerPAK® SO-8VMT3
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
27,139
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
725,086
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
8-DFN
AONR32320C
MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,976
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.89553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.5A（Ta），12A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 9.5A，10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），11W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R8-80EX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,343
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.04215
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
7.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
63.3 nC @ 10 V
±20V
5347 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。