单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
eGaN®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），40A（Tc）22A（Ta），40A（Tc）50A（Tc）90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 50A，5V2 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V3.4 毫欧 @ 18.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 28mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.3 nC @ 10 V33 nC @ 5 V45 nC @ 10 V78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1230 pF @ 12 V2850 pF @ 15 V4200 pF @ 10 V4523 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），30W（Tc）2.1W（Ta），50W（Tc）5.2W（Ta），104W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
10-PolarPAK®（S）PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FL模具
封装/外壳
8-PowerTDFN10-PolarPAK®（S）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
6,865
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98417
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
90A（Ta）
5V
1.1 毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 28mA
33 nC @ 5 V
+6V，-4V
4523 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
TSDSON-8
BSZ031NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
6,850
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.42775
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
19A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
18.3 nC @ 10 V
±16V
1230 pF @ 12 V
-
2.1W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ0901NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
3,466
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.41834
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
Pkg 5847
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 18.3A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
5.2W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
10-PolarPAK®（S）
10-PolarPAK®（S）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。