单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA(Ta)1.2A(Ta)1.7A(Tc)5.5A(Tc)6A(Ta)8A(Tc)10.3A(Ta)11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 4.5A,10V31 毫欧 @ 7.9A,10V42 毫欧 @ 6.7A,10V43 毫欧 @ 6A,10V120 毫欧 @ 3.8A,10V137 毫欧 @ 5A,10V250 毫欧 @ 930mA,4.5V5.5 欧姆 @ 180mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)2V @ 11µA2V @ 1mA2.3V @ 10µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.59 nC @ 10 V3.9 nC @ 4.5 V5.3 nC @ 5 V5.5 nC @ 10 V5.6 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V19.6 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±15V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18 pF @ 30 V110 pF @ 15 V320 pF @ 25 V344 pF @ 15 V440 pF @ 50 V555 pF @ 10 V1204 pF @ 15 V1260 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)540mW(Ta)2W(Ta)3W(Tc)3.3W(Tc)8W(Tc)11.5W(Tc)15W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)(DFN2020)DFN2020MD-6Micro3™/SOT-23PG-SOT23-3-5SC-70-6SOT-223SOT-23-3(TO-236)U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
6-PowerVDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
60,872
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
19,576
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30183
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6A(Ta)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 6A,10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
86,676
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.33697
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
5.5A(Tc)
4.5V,10V
137 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 1mA
5.3 nC @ 5 V
±15V
320 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SC-70-6
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Vishay Siliconix
17,312
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 15 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT23-3-5
ISS55EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Infineon Technologies
94,690
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47461
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
180mA(Ta)
4.5V,10V
5.5 欧姆 @ 180mA,10V
2V @ 11µA
0.59 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23-3-5
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMP3026SFDF-7
MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,305
现货
171,000
工厂
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11139
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.3A(Ta)
4V,10V
19 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±25V
1204 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,493
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71081
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8A(Tc)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 7.9A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 10 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.78739
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 6.7A,10V
2.3V @ 10µA
5.6 nC @ 4.5 V
±20V
440 pF @ 50 V
-
11.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。