单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDonsemiSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ K5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）8.8A（Ta）12.5A（Ta）38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 12.5A，10V20 毫欧 @ 8.8A，10V130 毫欧 @ 19A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V63 nC @ 10 V93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V+30V，-20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V1845 pF @ 15 V2659 pF @ 20 V3300 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.5W（Ta）450W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICSOT-23TO-247-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
16,932
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.13159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-3 HiP
STW40N95K5
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
STMicroelectronics
1,332
现货
1 : ¥135.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
38A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 19A，10V
5V @ 100µA
93 nC @ 10 V
±30V
3300 pF @ 100 V
-
450W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,789
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
onsemi
5,966
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.97206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.5A（Ta）
10V
9 毫欧 @ 12.5A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
+30V，-20V
2659 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。