单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53A(Ta),362A(Tc)53A(Ta),378A(Tc)370A(Tc)378A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.67 毫欧 @ 50A,10V0.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2V @ 280µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
81 nC @ 4.5 V128 nC @ 10 V149 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8400 pF @ 25 V9400 pF @ 20 V12168 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.9W(Ta),179W(Tc)3.9W(Ta),200W(Tc)200W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C406NLT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥38.01000
剪切带(CT)
1,500 : ¥19.64585
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
53A(Ta),362A(Tc)
4.5V,10V
0.7 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 280µA
149 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 20 V
-
3.9W(Ta),179W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS5C404NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
onsemi
509
现货
58,500
工厂
1 : ¥53.45000
剪切带(CT)
1,500 : ¥27.61822
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
53A(Ta),378A(Tc)
10V
0.7 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NT1G
MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥54.76000
剪切带(CT)
1,500 : ¥25.56325
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
378A(Tc)
10V
0.7 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥32.35000
剪切带(CT)
1,500 : ¥16.70701
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
370A(Tc)
4.5V,10V
0.67 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
81 nC @ 4.5 V
±20V
12168 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。