单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™U-MOSVII-Hπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)170mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)250mA(Ta)270mA(Ta)310mA(Ta)320mA(Ta)340mA(Ta)380mA(Ta)400mA(Ta)4.2A(Ta)25.9A(Ta),94A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,4.5V1.8V,5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 毫欧 @ 15A,10V45 毫欧 @ 4.2A,4.5V680 毫欧 @ 380mA,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.6 欧姆 @ 320mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 100mA,4.5V2 欧姆 @ 50mA,5V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V2.8 欧姆 @ 200mA,10V2.8 欧姆 @ 250mA,10V2.8 欧姆 @ 300mA,4.5V3 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 10µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V12 nC @ 5 V138 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.3 pF @ 3 V20 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V23.6 pF @ 10 V26 pF @ 10 V27 pF @ 30 V28.5 pF @ 30 V32 pF @ 30 V34 pF @ 10 V40 pF @ 10 V47 pF @ 30 V50 pF @ 10 V56 pF @ 10 V60 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)200mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)270mW(Ta),1.5W(Tc)300mW(Ta)310mW(Ta)310mW(Ta),1.67W(Tc)320mW(Ta)440mW(Ta)1.25W(Ta)5.1W(Ta),65.8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PowerPAK® 1212-8SSOT-323UMT3FUSM
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SSC-70,SOT-323SC-85TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果

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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,721
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,562
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,582
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40362
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
226,560
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
69,999
现货
10,530,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.41708
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
1.8V,5V
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
440mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
84,216
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS65DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Vishay Siliconix
11,435
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71175
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25.9A(Ta),94A(Tc)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
138 nC @ 10 V
±20V
4930 pF @ 15 V
-
5.1W(Ta),65.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
26,316
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26375
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
SOT-323
NX7002BKWX
MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323
Nexperia USA Inc.
66,438
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.30406
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
270mA(Ta)
5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
NX6008NBKWX
NX6008NBKW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
49,298
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
1.5V,4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW(Ta),1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
162,076
现货
810,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.24483
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
380mA(Ta)
2.5V,10V
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
28,679
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39640
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.5V,4V
3 欧姆 @ 10mA,4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,811
现货
252,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340mA(Ta)
1.8V,4.5V
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
Nexperia USA Inc.
24,400
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38263
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
34 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
252,097
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 320mA,10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
BSS138BKWT106
BSS138BKWT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Rohm Semiconductor
52,871
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
380mA(Ta)
2.5V,10V
680 毫欧 @ 380mA,10V
2V @ 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN62D0UW-13
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
7,600
现货
110,000
工厂
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.35532
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340mA(Ta)
1.8V,4.5V
2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
NX138BKWF
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.20927
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
2.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。