单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A(Ta)1.4A(Ta)1.7A(Ta)1.8A(Ta)2.5A(Ta)4A(Ta)4.1A(Ta)5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
42 毫欧 @ 3.8A,4.5V42 毫欧 @ 4.1A,10V52 毫欧 @ 4A,10V60 毫欧 @ 4A,10V85 毫欧 @ 1.9A,10V98 毫欧 @ 2.5A,10V120 毫欧 @ 2.5A,10V160 毫欧 @ 1.4A,10V250 毫欧 @ 910mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 3.7µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 5 V3.9 nC @ 10 V5 nC @ 5 V5 nC @ 10 V5.4 nC @ 5 V5.5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V11.7 nC @ 10 V15 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
85 pF @ 25 V94 pF @ 15 V190 pF @ 25 V195 pF @ 15 V209 pF @ 15 V460 pF @ 10 V464 pF @ 15 V464.3 pF @ 15 V560 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)510mW(Ta),5W(Tc)540mW(Ta)625mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta),1.8W(Tc)1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-SOT23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236ABTSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
255,447
现货
5,967,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64179
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
52 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,238
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93655
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.1A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.1A,10V
2V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
127,535
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 910mA,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN3A01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
88,631
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24606
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.8A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.5A,10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
NDS355AN
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
13,888
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.7A(Ta)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 1.9A,10V
2V @ 250µA
5 nC @ 5 V
±20V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
598,162
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
73,862
现货
42,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72586
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
60 毫欧 @ 4A,10V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
464.3 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,060
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.2A(Tc)
1.8V,4.5V
42 毫欧 @ 3.8A,4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 8 V
±8V
560 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSMT3
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,895
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.92599
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.5A(Ta)
4V,10V
98 毫欧 @ 2.5A,10V
-
5.4 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
/ 9

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。