单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCNexperia USA Inc.
系列
-eGaN®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）10A（Ta）22A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 6A，5V37 毫欧 @ 5A，10V65 毫欧 @ 1A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.91 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V8.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
90 pF @ 50 V238 pF @ 40 V867 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
44W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK33模具
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
20,106
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.84948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
10A（Ta）
5V
20 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
238 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
21,356
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
65 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.91 nC @ 5 V
+6V，-4V
90 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
LFPAK33
BUK9M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,362
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.08994
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Tc）
5V
37 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
8.3 nC @ 5 V
±10V
867 pF @ 25 V
-
44W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。