单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.6A（Ta），51.6A（Tc）31A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 50A，10V17.7 毫欧 @ 20A，10V39 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 115µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V56 nC @ 10 V87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1516 pF @ 75 V1690 pF @ 25 V6500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），156W（Tc）3W（Ta），110W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Infineon Technologies
16,055
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.23253
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Tc）
10V
39 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
3W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAK
Vishay Siliconix
4,296
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.09331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
12.6A（Ta），51.6A（Tc）
7.5V，10V
17.7 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1516 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
BSC035N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,525
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.49624
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。