单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsTexas Instruments
系列
HEXFET®MESH OVERLAY™ IIINexFET™OptiMOS™STripFET™STripFET™ F6STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压（Vdss）
33 V55 V60 V68 V75 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）49A（Tc）64A（Tc）75A（Tc）80A（Tc）98A（Tc）100A（Tc）110A（Tc）120A（Tc）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 100A，10V3.3 毫欧 @ 75A，10V3.4 毫欧 @ 100A，10V6.5 毫欧 @ 55A，10V8 毫欧 @ 40A，10V8 毫欧 @ 62A，10V9.8 毫欧 @ 40A，10V11 毫欧 @ 40A，10V14 毫欧 @ 32A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V34 毫欧 @ 37A，10V100 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250µA3.2V @ 250µA3.8V @ 155µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 5 V50 nC @ 10 V63 nC @ 10 V75 nC @ 10 V81 nC @ 10 V84 nC @ 10 V117 nC @ 10 V146 nC @ 10 V150 nC @ 10 V153 nC @ 10 V155 nC @ 10 V160 nC @ 10 V220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V箝位
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1860 pF @ 25 V1970 pF @ 25 V2550 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V3260 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V3850 pF @ 25 V8130 pF @ 37.5 V9130 pF @ 40 V9400 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.3W（Tc）94W（Tc）110W（Tc）130W（Tc）190W（Tc）200W（Tc）214W（Tc）300W（Tc）370W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO220-3SOT-223TO-220TO-220-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
77,191
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.02542
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 1.5A，10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,071
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3077PBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Infineon Technologies
2,451
现货
1 : ¥36.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
120A（Tc）
10V
3.3 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
1,527
现货
1 : ¥36.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Infineon Technologies
3,389
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
64A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP80NF70
MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
STMicroelectronics
576
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
68 V
98A（Tc）
10V
9.8 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
SGP15N60XKSA1
IPP034NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Infineon Technologies
1,425
现货
1 : ¥20.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
100A（Tc）
10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 155µA
117 nC @ 10 V
±20V
8130 pF @ 37.5 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
D²PAK
STB75NF75T4
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
STMicroelectronics
1,912
现货
1 : ¥23.23000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.01193
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
STP75NF20
MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
STMicroelectronics
1,873
现货
1 : ¥19.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
75A（Tc）
10V
34 毫欧 @ 37A，10V
4V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
3260 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥20.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
80A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP110N8F6
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
STMicroelectronics
722
现货
1 : ¥12.23000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
10V
6.5 毫欧 @ 55A，10V
4.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
9130 pF @ 40 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP80NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
80A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
3850 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP75NS04Z
MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB
STMicroelectronics
0
现货
1,000 : ¥7.94266
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
33 V
80A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
箝位
1860 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。