STP80NF55-08 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 1,903
单价: ¥15.43000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: ¥5.12175
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: ¥5.62672
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 123
单价: ¥14.94000
规格书

类似


onsemi
现货: 442
单价: ¥10.67000
规格书

类似


onsemi
现货: 772
单价: ¥15.93000
规格书

类似


onsemi
现货: 789
单价: ¥23.56000
规格书

类似


onsemi
现货: 5,992
单价: ¥22.66000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 804
单价: ¥8.95000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 9,545
单价: ¥13.30000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 1,007
单价: ¥18.80000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥12.81000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 4,387
单价: ¥13.96000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 519
单价: ¥13.71000
规格书

STP80NF55-08

DigiKey 零件编号
497-3202-5-ND
制造商
制造商产品编号
STP80NF55-08
描述
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 55 V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STP80NF55-08 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
155 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3850 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥23.23000¥23.23
50¥18.66840¥933.42
100¥15.36000¥1,536.00
500¥12.99714¥6,498.57
1,000¥11.02784¥11,027.84
2,000¥10.47645¥20,952.90
5,000¥10.08259¥50,412.95
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。