80A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 661
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrosemi Corporation
系列
-C3M™CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIEEFHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V24 V25 V30 V33 V40 V45 V49 V55 V60 V65 V68 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V5.5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V10V15V16V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.35 毫欧 @ 20A,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V1.6 毫欧 @ 80A,10V1.7 毫欧 @ 80A,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V1.8 毫欧 @ 80A,10V2.3 毫欧 @ 40A,10V2.3 毫欧 @ 80A,10V2.4 毫欧 @ 80A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 80A,10V2.6 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.45V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 125µA2V @ 130µA2V @ 150µA2V @ 180µA2V @ 18µA2V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.1 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13.4 nC @ 5 V13.7 nC @ 4.5 V14 nC @ 5 V17 nC @ 4.5 V17 nC @ 5 V18 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V20 nC @ 5 V21 nC @ 5 V22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V±12V±15V±16V±18V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-16V±20V20V+22V,-5V±22V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1160 pF @ 25 V1210 pF @ 25 V1250 pF @ 6 V1338 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1515 pF @ 25 V1600 pF @ 15 V1640 pF @ 25 V1677 pF @ 25 V1683 pF @ 15 V1690 pF @ 25 V1817 pF @ 25 V
FET 功能
-温度检测二极管肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),104W(Tc)630mW(Ta),86W(Tc)1.5W(Ta),84W(Tc)1.6W(Ta)1.8W(Ta),115W(Tc)1.8W(Ta),120W(Tc)2W(Ta)2.4W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),83W(Tc)2.67W(Ta),104W(Tc)2.8W2.9W
工作温度
-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(5.1x6.3)8-PDFN(5x5.8)8-PDFN(5x6)8-PPAK(3.1x3.1)8-PPAK(5.1x5.71)8-PQFN(5x6)8-QFN(5x6)8-TSON Advance(3.1x3.1)D2PAKD3PAKDFN5060DPAK
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNISOPLUS220™PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-220-7
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
661结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 661
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
21,810
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
7V,10V
3.68 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 18µA
22 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
5,953
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.29 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
26,447
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.63502
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
2.3 毫欧 @ 40A,10V
2.4V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 20 V
-
630mW(Ta),104W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
43,946
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.75528
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 40A,10V
2.1V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 15 V
-
104W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD140N6F7
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
STMicroelectronics
5,284
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
134W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
20,484
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥4.72505
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD130N6F7
MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
STMicroelectronics
3,368
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.16348
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 30 V
-
134W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Infineon Technologies
22,468
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.21329
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
80A(Tc)
-
6.8 毫欧 @ 80A,10V
2V @ 130µA
80 nC @ 10 V
+5V,-16V
5700 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Infineon Technologies
34,737
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.31405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
7 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 50µA
38 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
27,026
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.01176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
8.2 毫欧 @ 73A,10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STMicroelectronics
49,698
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.10989
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
5V,10V
4 毫欧 @ 40A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STMicroelectronics
13,195
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.97671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
-
120W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STMicroelectronics
88,307
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.18912
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
10V
7.3 毫欧 @ 19A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5680 pF @ 50 V
-
5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
8-PQFN, Power56
FDWS86368-F085
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
onsemi
4,580
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.25241
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
80A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
4350 pF @ 40 V
-
214W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
Power56
8-PowerVDFN
TO-220AB (H)
MCP80P06Y-BP
P-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Micro Commercial Co
5,219
现货
1 : ¥18.88000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
6V,10V
8.4 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±18V
5810 pF @ 30 V
-
89W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB(H)
TO-220-3
TO252-3
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
7,513
现货
1 : ¥19.95000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.98800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
5 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 84µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 50 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D²PAK
STB80NF10T4
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STMicroelectronics
602
现货
1 : ¥27.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.10789
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D²PAK
STB80NF55-06T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STMicroelectronics
3,307
现货
1 : ¥28.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.53727
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
80A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
189 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,114
现货
1 : ¥29.97000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB80P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Infineon Technologies
4,954
现货
1 : ¥31.77000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.44005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXFA80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Littelfuse Inc.
2,586
现货
1 : ¥77.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
80A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 1.5mA
83 nC @ 10 V
±20V
5430 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXFA80N25X3-TRL
MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Littelfuse Inc.
260
现货
1 : ¥77.83000
剪切带(CT)
800 : ¥49.07483
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
80A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 1.5mA
83 nC @ 10 V
±20V
5430 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Littelfuse Inc.
283
现货
900
工厂
1 : ¥109.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 40A,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Littelfuse Inc.
521
现货
1 : ¥119.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
80A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Littelfuse Inc.
409
现货
1 : ¥161.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
80A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 661

80A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。