单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesInternational RectifierLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™STripFET™ IITrenchTrenchFET®TrenchMOS™UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Tc)30A(Tc)53.7A(Tc)60A(Tc)75A(Tc)80A(Tc)90A(Tc)97A(Tc)100A(Tc)108A(Tc)110A(Tc)120A(Tc)180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 100A,10V3.95 毫欧 @ 25A,10V4.2 毫欧 @ 50A,10V4.7 毫欧 @ 106A,10V6 毫欧 @ 75A,10V6.8 毫欧 @ 15A,10V6.8 毫欧 @ 90A,10V8.2 毫欧 @ 73A,10V8.3 毫欧 @ 73A,10V8.7 毫欧 @ 10A,10V9 毫欧 @ 58A,10V9.5 毫欧 @ 13A,10V10 毫欧 @ 75A,10V10.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.5V @ 150µA3.5V @ 250µA3.5V @ 275µA3.5V @ 75µA3.5V @ 90µA4V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V34 nC @ 10 V45 nC @ 10 V49 nC @ 10 V52 nC @ 10 V53.7 nC @ 10 V55 nC @ 10 V68 nC @ 10 V117 nC @ 10 V120 nC @ 10 V125 nC @ 10 V170 nC @ 10 V206 nC @ 10 V215 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1240 pF @ 25 V1825 pF @ 40 V1949 pF @ 40 V2592 pF @ 50 V2650 pF @ 25 V3346 pF @ 40 V3750 pF @ 25 V3980 pF @ 50 V4820 pF @ 50 V4910 pF @ 50 V5200 pF @ 25 V6686 pF @ 50 V6860 pF @ 50 V8410 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),166W(Tc)3.1W(Ta)5W(Ta),62.5W(Tc)13.6W(Ta),375W(Tc)107W(Tc)125W(Tc)150W(Tc)170W(Tc)176W(Tc)214W(Tc)230W(Tc)250W(Tc)269W(Tc)270W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
Accelerometer,3 Axis,ImpactD2PAKPG-TO252-3PG-TO263-3PowerPAK® SO-8TO-220TO-263TO-263(D2PAK)TO-263AA
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
26,526
现货
1 : ¥15.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.01176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
8.2 毫欧 @ 73A,10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
29,576
现货
1 : ¥27.42000
剪切带(CT)
800 : ¥16.57714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 106A,10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
9,631
现货
1 : ¥35.63000
剪切带(CT)
800 : ¥21.49265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PSMN3R7-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
15,253
现货
1 : ¥37.68000
剪切带(CT)
800 : ¥22.76794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
3.95 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
246 nC @ 10 V
±20V
16370 pF @ 50 V
-
405W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Infineon Technologies
11,051
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.67515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
6V,10V
6.8 毫欧 @ 90A,10V
3.5V @ 90µA
68 nC @ 10 V
±20V
4910 pF @ 50 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Infineon Technologies
6,667
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.00231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
8.3 毫欧 @ 73A,10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4410ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Infineon Technologies
8,623
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
800 : ¥9.40330
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
97A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 50 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK SO-8
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,384
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.45346
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
30A(Tc)
8V,10V
17 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1825 pF @ 40 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,244
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.64273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4.2 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN7R0-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
2,986
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
800 : ¥12.75353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
10V
6.8 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
125 nC @ 10 V
±20V
6686 pF @ 50 V
-
269W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP120NF10
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
STMicroelectronics
18,173
现货
1 : ¥26.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
10.5 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
233 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,044
现货
1 : ¥36.04000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.94800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PHB27NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,622
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
800 : ¥4.58600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
28A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 14A,10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±20V
1240 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
HUF75545S3ST
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
onsemi
65,370
现货
37,600
工厂
1 : ¥28.65000
剪切带(CT)
800 : ¥17.30821
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
75A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
235 nC @ 20 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
270W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN8R7-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,392
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
800 : ¥5.95016
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
90A(Tc)
10V
8.7 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
52 nC @ 10 V
±20V
3346 pF @ 40 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
14 Power
DMTH8012LPSW-13
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Diodes Incorporated
1,333
现货
12,500
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.81465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
53.7A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1949 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Accelerometer,3 Axis,Impact
8-PowerTDFN
MJD32CTF-ON
AUIRFS4310ZTRL
AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
International Rectifier
72,497
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Littelfuse Inc.
55
现货
1 : ¥22.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±30V
2650 pF @ 25 V
-
176W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
DMTH10H010LCTB-13
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Diodes Incorporated
800
现货
16,000
工厂
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.96951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
108A(Tc)
10V
9.5 毫欧 @ 13A,10V
3.5V @ 250µA
53.7 nC @ 10 V
±20V
2592 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。