单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）5，5A（Ta），14A（Tc）22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 25A，10V36毫欧 @ 5，5A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.821 nC @ 10 V14 nC @ 10 V96.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V453 pF @ 30 V4515 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
570mW（Ta）2.3W（Ta），15W（Tc）2.6W（Ta），138W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6PowerDI5060-8SOT-23-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN67D7L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Diodes Incorporated
51,248
现货
138,000
工厂
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34851
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
210mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.821 nC @ 10 V
±40V
22 pF @ 25 V
-
570mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK7D36-60EX
MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Nexperia USA Inc.
7,990
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5，5A（Ta），14A（Tc）
10V
36毫欧 @ 5，5A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
453 pF @ 30 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,494
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.88751
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
96.3 nC @ 10 V
±20V
4515 pF @ 30 V
-
2.6W（Ta），138W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。