单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Good-Ark SemiconductorLittelfuse Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-PolarP™STripFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）4.3A（Tc）26A（Tc）28A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 2.4A，10V75 毫欧 @ 15A，10V77 毫欧 @ 17A，10V170 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V38 nC @ 10 V56 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V550 pF @ 30 V1597 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V2740 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
430mW3W（Tc）125W（Tc）150W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3（TO-236）TO-220TO-220-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
31,711
现货
1 : ¥11.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP30NF20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
STMicroelectronics
672
现货
1 : ¥18.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
30A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1597 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IXTP26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Littelfuse Inc.
2,141
现货
400
工厂
1 : ¥55.82000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
26A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
BAT54
2N7002K
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,
Good-Ark Semiconductor
72,661
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19451
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
10V，5V
-
2.5V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
430mW
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2362ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
2,521
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。