单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）150mA（Ta）200mA470mA（Ta）850mA（Ta）900mA（Ta）1.2A（Ta）4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 6A，10V365 毫欧 @ 1.2A，10V400 毫欧 @ 500mA，4.5V400 毫欧 @ 900mA，10V900 毫欧 @ 280mA，4.5V5 欧姆 @ 200mA，10V7 欧姆 @ 1A，10V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）680mV @ 1mA（典型值）2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V2.1 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 25 V45 pF @ 25 V83 pF @ 24 V110 pF @ 24 V110 pF @ 25 V219 pF @ 30 V549 pF @ 50 V642 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
250mW（Tc）350mW（Ta）360mW（Ta）417mW（Ta）540mW（Ta）625mW（Ta）710mW（Ta），8.3W（Tc）1.38W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236ABTO-236AB（SOT23）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
180,018
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,712
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
19,838
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
92,061
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,026
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49528
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
900mA（Ta）
4.5V，10V
400 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV240SPR
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
4,200
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
-
365 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
549 pF @ 50 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH203,215
MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
66,224
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
470mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 280mA，4.5V
680mV @ 1mA（典型值）
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
110 pF @ 24 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TN5325K1-G
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Microchip Technology
11,571
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26910
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
150mA（Ta）
4.5V，10V
7 欧姆 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TA）
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。