单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）2A（Ta）5.2A（Ta）5.47A（Ta）52A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，8V4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 25A，10V12 毫欧 @ 15A，10V29 毫欧 @ 6A，10V33毫欧 @ 5，2A，8V240 毫欧 @ 1.3A，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 4.5 V39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 10 V434.7 pF @ 10 V450 pF @ 20 V1039 pF @ 10 V1039 pF @ 25 V2781 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta），6.25W（Tc）660mW（Ta），7，5W（Tc）740mW1W（Ta）65W（Tc）147W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK56，Power-SO8SOT-23-3SOT-23FTO-236AB
封装/外壳
SC-100，SOT-669SC-74，SOT-457SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
241,074
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
6-TSOP
PMN30XPAX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
19,012
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99469
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.2A（Ta）
2.5V，8V
33毫欧 @ 5，2A，8V
1.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1039 pF @ 10 V
-
660mW（Ta），7，5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
25,844
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68029
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-40EX
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,371
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.03790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
52A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1039 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R4-40EX
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,074
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.20524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
4.4 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
39 nC @ 10 V
±20V
2781 pF @ 25 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
0
现货
222,000
工厂
查看交期
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81436
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.47A（Ta）
1.8V，10V
29 毫欧 @ 6A，10V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
434.7 pF @ 10 V
-
740mW
-55°C ~ 150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。