单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.25A（Ta）9A（Ta），43A（Tc）21A（Tc）33A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 9A，10V27.5 毫欧 @ 15A，10V53 毫欧 @ 18A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V170 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 35µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V13.8 nC @ 10 V22 nC @ 10 V33 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 30 V887 pF @ 75 V1290 pF @ 50 V1634 pF @ 50 V2135 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.3W（Ta），54W（Tc）68W（Tc）89W（Tc）235W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TO252-3Power33SOT-23-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
27,864
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14967
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.25A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Power33
FDMC86160
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
onsemi
3,428
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.85789
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Ta），43A（Tc）
6V，10V
14 毫欧 @ 9A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
TO252-3
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Infineon Technologies
2,395
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.54098
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
53 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
887 pF @ 75 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN028-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
11,695
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.14983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
27.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
33 nC @ 10 V
±20V
1634 pF @ 50 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。