单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 25A，10V120 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V89.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 6 V6721 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），2.8W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8TO-236AB
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX2301P,215
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
143,765
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 1A，4.5V
1.1V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±8V
380 pF @ 6 V
-
400mW（Ta），2.8W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN0R9-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,083
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.67656
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.85 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 1mA
89.8 nC @ 10 V
±20V
6721 pF @ 12 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。